TPA60R3K4C دیتاشیت

TPA60R3K4C

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TPA60R3K4C
حجم فایل 87.293 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت TPA60R3K4C

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: WUXI UNIGROUP MICRO TPA60R3K4C
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 6W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 4.1nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 120pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 5pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.8Ω@10V,700mA
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: WUXI UNIGROUP MICRO

محصولات مشابه